角度分解光電子微細構造法によるC-doped GaN の結晶構造評価

摘要

GaN 中のC 原子はGaN の高抵抗化に寄与するため、C 原子がドープされたGaN (C-dopedGaN) は電界効果トランジスタのバッファ層の材料として期待されているが、その結晶構造やドーピングの詳細については明らかにされていない。本研究では、C-doped GaN の複数の結晶モデルを検討し、角度分解光電子微細構造法(ARPEFS) のシミュレーションを行い、実験結果と比較することによってC-doped GaN の結晶構造の評価を行った。