再結晶化した 再結晶化した In_xGa_(1-x)Asの結

摘要

先行研究においてはGaAsやInAsの低次元構造を簡便に形成する方法として固相エピタキシャル成長を採用することが提案されている[1,2]。しかし、現時点ではGaAs系混晶の固相エピタキシャル成長に関する報告はこれら以外にほとhど存在せず未開拓の技術である。本グループではこれまでに InP 基板上のアモルファス InxGa_(1-x)As が熱処理によって固相エピタキシャル成長することを明らかにしており[3,4]、これは GaAs 系多元混晶がこの成長法で様々な基板上に成長できる可能性を示唆している。本研究では GaAs 系混晶半導体の固相成長技術の開拓に向け、InxGa1-xAs上のアモルファスInxGa_(1-x)As層の熱処理による結晶化について調べたので報告する。