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【24h】

SiGe BiCMOSの現状とRF ICへの応用

机译:SiGe BiCMOS的现状及其在射频集成电路中的应用

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摘要

SiGe HBTの開発動向とそれを用いた単機能(Building block)のRFICの開発動向についてまとめ、また、トランジスタがICの性能に与える利点·欠点について述べた。パヮーアンプでは、CMOSよりもSiGe BiCMOSの方が利得、パワー、効率のすべてで有利であろう。しかし、無線通信用トランシーバLSIを構成する場合は、ロジック回路ゃスイッチ回路が多く存在するため、SiGe BiCMOSよりSi CMOS (あるレ、は、SOI CMOS)が総合性能で有利だと考えられる。
机译:我们总结了SiGe HBT的发展趋势以及使用它们的单功能RFIC的发展趋势,并描述了晶体管在IC性能方面的优缺点。对于功率放大器,SiGe BiCMOS将在增益,功率和效率方面优于CMOS。然而,当配置用于无线通信的收发器LSI时,由于存在许多逻辑电路和开关电路,因此就整体性能而言,认为Si CMOS(某物,SOI CMOS)比SiGe BiCMOS更具优势。

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