II-VI semiconductor materials; Zinc compounds; Chemicals; Annealing; Substrates; Optical films;
机译:退火和CdCl2处理对化学浴法制备无氨和无镉CdS薄膜的结构和光学性能的影响
机译:通过无氨化学浴沉积工艺获得的CdS膜的光学性质和层微结构
机译:使用改性化学浴沉积法对ZnO纳米棒的形态学,结构和光学性能的影响
机译:从改性氨化学浴溶液获得ZnSe纳米丝的生长和光学性质
机译:深能级状态在ZnSe纳米线的光学和电子特性中的作用
机译:退火温度对化学浴镀(CBD)技术在低溶液浓度下沉积的CdS薄膜光学光谱的影响
机译:Ag 2 sup> Se催化生长机制ZnSe纳米线的湿化学合成和光学性质