Timing-speculation; SRAM; low-power design; performance model; PVT;
机译:低功耗工艺,电压和温度(PVT)变化可感知6T SRAM单元上改进的隧道FET
机译:低功耗,电压和温度(PVT)变化意识到在6T SRAM单元上的改进的隧道FET
机译:BTI,PVT变化和工作负载对SRAM感测放大器的整体影响
机译:亚阈值SRAM中位单元稳定性的物理模型,用于PVT变化下的泄漏面积优化
机译:DAC和SRAM上大规模变化的分析和建模。
机译:Casq2的条件消融和条件拯救模型阐明了CPq2表型的发育和Casq2的细胞类型特异性表达的作用
机译:SRAM的自动化缺陷仿真和故障建模
机译:CmOs sRam中单粒子翻转的分析模型和实验结果比较