低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用

摘要

フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al_2O_3)絶縁膜の膜物性を評価した結果、熱処理温度150°C、膜厚20 nmにおいて6.2 MV/cmと良好な絶縁破壞電界強度を示した。このAl_2O_3をゲート絶縁膜に用い、最高プロセス温度150°CにてInGaZnO_x(IGZO)TFTを作製した結果、ゲート絶縁膜厚20 nmにおいても1 pA 以下の低リーク電流かつ、良好な特性を実現した。