Threshold voltage; Tunneling; MOSFET; Microsoft Windows; Silicon; MOSFET circuits; Logic gates;
机译:结合了低温形成的浅结的低阈值电压TaN / Ir / LaTiO p-MOSFET
机译:包含非局部带间隧穿的隧道场效应晶体管的紧凑模型
机译:渐变SiGe通道调制掺杂的p-MOSFET的阈值电压和反向电荷建模
机译:一种新的阈值电压模型,包括异质结构P-MOSFET中的带状带隧道
机译:低功耗应用的带间隧道晶体管设计和建模。
机译:LaAlO3 / SrTiO3异质结构中电场引起的阈值电压漂移
机译:单轴应变p-MOSFET的阈值电压和漏极电流建模