Impedance; Baluns; Power generation; Circuit faults; Wireless communication; Radar; Gain;
机译:基于宽带变压器的功率放大器在65-NM CMOS过程中实现24.5 dBm输出功率超过24-41 GHz
机译:适用于FMCW雷达应用的13.5–19 GHz 20.6dB增益CMOS功率放大器
机译:利用基于电压的65nm CMOS电压组合功率的60GHz高输出功率堆叠FET功率放大器的设计
机译:65NM CMOS技术的变压器24 GHz功率放大器,用于FMCW应用
机译:基于Wilkinson Combiner方法的130nm CMOS技术中10GHz RF功率放大器设计
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:一个5 GHz E3F2类功率放大器,在65nm CMOS上具有51%的PAE和21dBm的输出功率