SnO_2薄膜における結晶成長方位制御による熱電出力因子増大

摘要

可視光領域で透明であり、高い電子移動度を有するSnO_2は透明熱電材料として期待されうる。しかし、その薄膜の熱電性能に関する先行研究は多結晶SnO_2の報告のみである。そこで、我々は高性能化が期待できる高品質なェピタキシャルSnO_2薄膜に注目した。一般にェピタキシャル薄膜の熱電出力因子は下地基板に依存することが知られている。そこで、本研究では、高性能薄膜形成の指針を得るため、様々な下地基板を用いて成長方位や格子歪を制御したェピタキシャルSnO_2薄膜を形成し、その熱電特性を明らかにすることを目的とした。