Na-Ba-Ga-Sn系Type-Ⅱクラスレート化合物の作製と熱電気的特性

机译：Na-Ba-Ga-Sn基II型笼形化合物的制备及热电性能

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K-Ba-Ga-Sn系Type-Ⅱクラスレートの無次元性能指数ZTは1を越える.現在，ゲスト原子の影響を調べるために，Na-Ba-Ga-Sn系クラスレートの作製を試みている.前回，先行文献を参考にフラックス法にて，大きさ2 × 3 ×1 mm~3程度の小片試料を得た.そのゼーベック係数はn型で100 μV/K程度の半導体的な数値であった.今回は，仕込組成などを調整し，より大きなサイズの試料体の作製を試みた.

机译：K-Ba-Ga-Sn II型笼形物的无量纲品质因数ZT超过1。目前，为了研究客体原子的影响，我们正在尝试制备Na-Ba-Ga-Sn笼形物。时间，参考以前的文献，通过磁通量法获得了一个小样品，其大小约为2×3×1 mm至3，Zeebeck系数为n型，具有类似半导体的值，约为100μV/ K.这次，我们尝试通过调整制备成分等来制备更大尺寸的样品。

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来源
《》|2019年|117-117|共1页
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作者
川崎和希; 岸本堅剛; 小柳剛; 赤井光治;
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