不純物欠陥の生成エネルギー計算に基づくn型SnTeの実験的探索

摘要

近年，SnTeにおいてp型でとなる材料が開発され注目されている.一方，本研究者らは第一原理計算からn型でより高いZTの可能性を報告した.しかし，n型SnTeの合成報告は未だない.この原因としてSn欠陥が指摘されている.そこで本研究では、SnTe中の不純物による欠陥形成エネルギーの第一原理計算，及び不純物準位の状態密度計算によって，電子ドープを実現する不純物元素を探索し実験を行った.