「超低損失電力素子基盤技術開発」国家プロジェクトの発足経緯とその意義

摘要

本発表においては、SiCパワー半導体の最初の本格的国家プロジェクトである「超低損失電力素子技術開発」発足の経 緯とその内容·成果についてのベ、プロジェクト後の研究開 発に与えた意義について、考察したい。筆者はプロジェクト の責任者でもあったため、所属機関の産総研の立場からの報告は行っている。20年が経過した現在、立ち返って、より客観的な議論の場としたい。