メンブレンレーザと大容量光通信への適用

摘要

メンブレンレーザの進展について報告する.80ミクロン長の活性層を持つシリコン基板上メンブレンレーザでは基板温度50度で25.8Gbit/s，NRZ信号の変調を確認している.さらに，高速化に向けてSiC基板上のメンブレンレーザの開発も行っている.また，高効率なInGaAsPベースのメンブレン変調器とDFBレーザのSi導波路上集積についても報告する.