TFETs; Integrated circuit modeling; Logic gates; SPICE; Tunneling; Junctions; Capacitance-voltage characteristics;
机译:基于二维物理的双栅极隧道FET的紧凑DC建模
机译:二维垂直隧道FET中分布效应的紧凑模型及其对DC和RF性能的影响
机译:低于10nm GAA FinFET的紧凑型源极到漏极隧道建模和行业标准模型
机译:III-V隧道FET的陷阱感知紧凑型型号和功率性能评估
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:通过热辅助自旋传递转矩(TAS + STT)切换的磁性隧道结(MTJ)的紧凑模型
机译:III-V隧道 - FET架构的全量子建模
机译:一种利用刚性风洞模型波动压力数据预测全尺度自助响应的方法。第2卷:方法评估的功率谱密度