埋込温度感知ダイォードを用いたパワーデバイスのジャンクション温度推定に関する一検討

摘要

本研究ではTSDによるジャンクション温度推定の妥当性について、実験とCFD解析による数値シミュレーションから検証した。TSDを埋め込hだSilGBTに対してStatic法に基づく過渡熱抵抗測定を行い、IGBTとTSDの温度応答がー致することを確認し、CFD解析によりTSDの寸法を含むパラメータ同定を行った。さらにTSDを埋め込hだSiCMOSFETについて同様の検討を行い、提案する手法によって測定が難しいSiC MOSFETの過渡熱抵抗測定が可能となることを確認した。