Substrates; Aluminum nitride; Surface treatment; Admittance; Lithium compounds; Attenuation; III-V semiconductor materials;
机译:粘结在高速基板上的LiNbO3或LiTaO3薄板上的高耦合泄漏表面声波
机译:粘结在石英基板上的LiTaO_3或LiNbO_3薄板上的低衰减纵向泄漏表面声波
机译:LiTaO_3或LINBO_3薄板上的纵向泄漏表面声波,粘接到石英底物
机译:LiTaO
机译:模拟由薄板上的粘合PZT引起的Lamb波传播。
机译:IgE:469 IL-4INF-&GAMMA水平;墨西哥Torreon Coahuila有铅暴露风险区域内过敏儿童血清中的IGE和IGG4总量
机译:(K