プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用:プラズマ処理時の基板バイアスの効果〜

摘要

要約　InGaZnO (IGZO)薄膜へのHeプラズマ処理時に基板バイアス(p_B)を印加し、IGZOの電気特性およびその熱的安定性に与える影響を検討した。プラズマ処理中に基板バイアスを印加することでシートキャリア濃度の増大に伴うシート抵抗の減少が確認された。また基板バイアスの印加により350°Cポストアニール前後におけるシート抵抗の変動を抑制することができた。Heプラズマ処理をソース·ドレイン(S/D)領域形成に用いたセルフアライン型TFTにて、350°Cポストアニール後においても良好な薄膜トランジスタ(TFT)特性を実現した。