Magnetic tunneling; Resistance; Tunneling magnetoresistance; Switches; Computer architecture; Microprocessors; Transistors;
机译:基于平面和垂直MTJ的STD-MRAM高密度缓存的扩展路线图和性能评估
机译:具有垂直MTJ的高密度MRAM的进展以及实现常关系统的挑战
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机译:4Gbit密度STT-MRAM使用垂直MTJ实现紧凑型电池结构
机译:用于STT-MRAM应用的具有高垂直磁各向异性的L10级薄膜。
机译:一阶和二阶垂直磁各向异性的磁性结构中自旋霍尔效应引起的临界开关电流密度
机译:基于MTJ的STT-MRAMS细胞建模与设计视角分析
机译:Etude de structures Bi-metalliques实现了一种高效能量(等离子体,激光),确定和模型化对抗残留物(用高能束实现双金属结构的研究(pl)