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高ひずみ速度の引張試験におけるナノSiの脆性-延性遷移温度とそのスケール効果

机译:脆性转变温度及其纳米Si在高应变速度拉伸试验中的尺度效应

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摘要

材料の脆性一延性遷移は、その材料を用いるアプリケーションの形状の決定や、信頼性の補償のために必要な材料特性である。シリコンの延性挙動は温度とひずみ速度に大きく依存し、温度の上昇やひずみ速度の低下により強く延性を示すようになる。シリコンのバルク材では約600°Cで延性となるが、寸法が10nmまで小さくなると室温下でも延性変形したことが報告されている。したがって温度やひずみ速度だけでなく、脆性-延性遷移はスケール効果を無視することができない。一方、これまで報告されてきたマイクロ?ナノスケールでの延性挙動は、比較的低いひずみ速度条件化で行われた結果とー考えられる。そこで本研究では高ひずみ速度条件下における。単結晶Siの脆性—延性遷移とその温度とスケール効果について評価した。
机译:材料的脆性完整性转变是使用材料和可靠性补偿所需的材料特性确定施用的形状。硅的延展性行为在很大程度上取决于温度和应变率,并且由于温度的增加和应变率降低而强烈延展。虽然硅的块状材料在约600℃下是延性的,但是据报道,当尺寸减少到10nm时,即使在室温下也已经过滤变形。因此,不仅温度和应变率,而且脆性延展转变也不能忽略尺度效果。另一方面,迄今为止报告的微型延伸性的延展性行为被认为是应变速度条件相对低的结果。因此,在本研究中,在高应变率条件下。评价单晶Si的脆性延展性转变及其温度和比例效应。

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