多層膜及び磁性細線中の低電界による磁壁駆動

摘要

電場（EF)によって駆動される磁壁は、超低消費電力で動作電圧が低いため、未来の情報技術に大きな進展をもたらす可能 性があります。その結果、EF誘起磁気異方性、磁化反転、磁区構造の変化、磁壁移動に注目され始めています。一方、強磁性 層と重金属層とからなる磁性多層膜中で有するDMI (Dzyaloshinskii-Moriya interaction)はスキルミオンのような新規な磁 区構造を安定させることができると分かった。また、磁気スキルミオンはEFによって制御することができ、超低消費電力の ストレージデバイスを開発する可能性はあるのではないかと考えている。ここでは、室温におけるDMIおよび人工的な厚さ 勾配を付与した磁気多層膜内における磁壁のEF誘導方向運動に関する実験結果を示す。我々は、10Vよりも低い電圧を印加 することによって磁壁を作り出し、その磁壁に方向性を有することを実証した。また、磁壁のEF誘起運動は、ある外部磁界 を印加することに伴い粒状磁区の生成も確認できた。よって、我々は超低消費電力の新しい磁壁およびスキルミオンを利用し たストレージデバイスの開発は可能ではないかと提案する。