アルミニウムプラズモニックチップで促進したジアリールエテン薄膜の光異性化と針状結晶成長過程のin situ顕微イメージング

摘要

ジアリールエテンは代表的な光応答性分子の一つであ り、多くの誘導体を持つことが知られている。本研究で用 いたジアリールエテン1(1,2-Bis(2-methoxy-5-tnmethylsilylthien-3-yl)perfluoroc yclopentene)では、UV光照射により閉環体(1c)へ、可視光 照射により開環体(1o)へ光異性化する（図1参照)。また1cへの光異性化が進むと融点が室温付近まで降下するため、 1cが配列して針状結晶成長が進むことが知られている。 プラズモニックチップは波長オーダーの周期構造を持つ金 属薄膜で覆われた基板で、共鳴角で入射した光を基板界面 に結合させ金属薄膜界面に增強電場を与えることができ る。本研究では、UV光の波長領域で電場増強効果をもたら すアルミニウム(A1)プラズモニックチップを作製し、その光学特性を評価し、蛍光顕微鏡観察によりUV光の波長領域 で電場が増強していることを確かめた。そして、正倒立顕 微鏡下でチップ上に調製されたジアリールェテン1薄膜界 面の光異性化を誘起し、1oからlcへの光異性化とそれに伴うlcの針状結晶成長過程のin situ観察を行った。ジアリ ールエテン1薄膜表面の自由度や1cへの異性化率の違いに よる針状結晶成長過程の違いをin situ観察し、針状結晶成 長のメカニズムを調べるとともにA1プラズモニックチップ によりってlcの針状結晶成長を制御した。