SiC MOSFETのゲー卜電圧波形の遺伝的アルゴリズムによる最適化に関する一検討

摘要

パワーデバイスのスィツチングにおいて，スィツチング速度を動的に制御する技術であるアクティブゲートドライブ（AGD)が着目されている.特にSiCなどのワイドバンドギヤップ半導体を用いたパワーデバイスにおいては，その高速スィツチング特性が災いしてリンギングゃォーバーシユートの増加が問題となつており, AGDによる対策が広く検討されている. AGDの方式としては，ゲートドライブ回路におけるゲート抵抗を可変にするものや，ゲートに印加する電圧を可変にするものなど，さまざまなものが検討されている.その中で本研究では，ディジタル•アナログ変換回路の回路構成をMOSFETの駆動回路に応用することで，電圧可変型AGDのフルディジタル化を検討している.提案するディジタルァクティブゲートドライパ（以下ではDAGDと記述）では，従来のゲートドライバで必要となる回路パラメータや制御パラメータの調整ではなく，複数ピットのゲート信号列の変更のみによってその動作を調整する.そのため，回路実装後に素子の劣化や交換，あるいは動作条件の変更などが発生した場合にも柔軟な対応が可能となる.