3D; C-t; Cu diffusion; Ni layer; barrier/seed;
机译:氧化物衬里,阻挡层和种子层以及用于3D IC集成的300毫米晶圆上盲孔硅通孔(TSV)的铜镀层
机译:通过使用低成本电解-NI作为3D-LSI集成和包装应用的低成本电解-NI作为屏障和种子层的高纵横比通过硅 - 通过形成
机译:界面层型纳米纳米对Cu TSV稳定性的影响:扩散阻挡,粘附,保形涂层和力学性能
机译:电少的Ni层作为高可靠性和低成本Cu Tsv的屏障/种子层的影响
机译:TiO2和NIO:用于异质结太阳能电池的Cu载波选择性阻隔层
机译:铜籽晶层的晶粒取向对111取向纳米孪晶铜生长的影响
机译:介电层组成对Cu(1 at%Ti)/ Low-k样品中自形成的Ti富垒层生长的影响