GaN; efficiency droop; Auger recombination; electron emission; photoemission;
机译:电注入下半导体发光二极管发射的俄歇电子的直接测量:效率下降的主导机制的确定
机译:载流子溢出和俄歇复合对InGaN基蓝色LED效率下降的影响
机译:通过观察光致发光中的热载流子,确定nnp和npp Auger重组是(GaIn)N量子阱中效率下降的重要因素
机译:偏振场和螺旋钻重组对AlGaN / GaN紫外LED效率下垂的影响
机译:氮化铟镓/氮化镓多量子阱LED的工程效率下降
机译:利用主动机器学习优化GaN LED并降低效率下降
机译:评“直接测量从电子发射的俄歇电子 电注入半导体发光二极管:识别 效率下垂的主导机制“[phys.Rev。Lett.110,177406 (2013)]