CMOS integrated circuits; semiconductor device breakdown; semiconductor device models; semiconductor device reliability; technology CAD (electronics); CMOS technology; bias temperature instability; circuit simulation; frontend wearout modeling; gate oxide breakdown; ground signal degradation; power/ground signature analysis; signature signal; threshold voltage shift; voltage dependent ohmic resistance; Degradation; Electric breakdown; Integrated circuit modeling; Logic gates; Microprocessors; Stress; Threshold voltage;
机译:电力驱动部件和系统的3D FE线建模和电磁签名分析
机译:动态伴侣谐波电路模型,用于分析具有嵌入式电力电子设备的电力系统
机译:用于分析阻尼电力系统振荡中的FACTS装置的统一模型。二。多机电源系统
机译:具有电源/地面签名分析的设备向系统前端磨损模型
机译:与高纬度电离层电流系统相关的地磁特征建模
机译:基于模型的系统工程应用于植入生物医学微生物的无线电力传输技术的权衡分析
机译:用于电力系统动态研究的基于逆变器的事实装置的建模和分析。