Femtosecond mode-locked VECSEL from widely cw-tunable gain chips

机译：飞秒锁模VECSEL来自广泛的CW可调增益芯片

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We describe passively mode-locking of an InGaAs quantum well laser, comparing different dielectric coatings applied to the same gain wafer. A 7-fold variation in pulse duration down to 817 fs was observed.

机译：我们描述了InGaAs量子阱激光器的被动锁模，比较了应用于相同增益晶片的不同介电涂层。观察到脉冲持续时间低至817 fs的7倍变化。

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来源
《Conference on Lasers and Electro-Optics》|2014年|1-2|共2页
会议地点
作者
Robin Head C.; Hein Alexander; Shaw E.A.; Turnbull Andrew P.; Unger P.; Tropper A.C.;
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正文语种
中图分类
关键词
Coatings; Laser mode locking; Optical pumping; Optical reflection; Surface emitting lasers; Ultrafast optics;

机译：涂层;激光模式锁定;光泵浦;光反射;表面发射激光器;超快光学;

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