3.129-Gbit/s OFDM Visible Light Communication Using Semipolar Green μ-Light Emitting Diode (μ-LED) Array

机译：3.129-Gbit / s使用Semipolar Greenμ-发光二极管（μ-LED）阵列的可见光通信

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

We propose and demonstrate 3.129 Gbit/s orthogonal-frequency-division-multiplexing (OFDM) visible-light-communication (VLC) system using 550 nm wavelength green semipolar (20-21) InGaN/GaN μ-LED-array. The produced μ-LED-array has a high 3-dB bandwidth of 1.06 GHz driven at 90 mA.

机译：我们提出并展示了使用550nm波长绿色半极（20-21）IngaN / GaNμ-LED阵列的3.129 Gbit / s正交 - 频分复用（OFDM）可见光通信（VLC）系统。所产生的μ-LED阵列具有高于90 mA驱动的1.06 GHz的高3dB带宽。

著录项

来源
《Optical Fiber Communications Conference and Exhibition》|2021年|1-3|共3页
会议地点
作者
Yun-Han Chang; Guan-Hao Chang; Fang-Jyun Liou; Ching-Wei Peng; Wahyu Hendra Gunawan; Chi-Wai Chow; Hao-Chung Kuo; Yang Liu; Chien-Hung Yeh;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Fabrication; OFDM; Bandwidth; Light emitting diodes; Current density; Substrates; Visible light communication;

机译：制造;OFDM;带宽;发光二极管;电流密度;基板;可见光通信;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Visible-Light Communications Using a CMOS-Controlled Micro-Light- Emitting-Diode Array [J] . McKendry J.J.D., Massoubre D., Zhang S., Lightwave Technology, Journal of . 2012,第1期

机译：使用CMOS控制的微发光二极管阵列的可见光通信
2. Polarized monolithic white semipolar (20-21) InGaN light-emitting diodes grown on high quality (20-21) GaN/sapphire templates and its application to visible light communication [J] . Nano Energy . 2020,第期

机译：偏光的单片白色半（20-21）INGAN在高质量（20-21）GAN / SAPPHIRE模板上生长的发光二极管及其在可见光通信中的应用
3. Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes (RCLEDs) Made From a Simple Dielectric Coating of Transistor Outline (TO)-Can Packaged InGaN LEDs for Visible Light Communications [J] . Chia-Lung Tsai, Yi-Chen Lu, Sun-Chien Ko IEEE Transactions on Electron Devices . 2016,第7期

机译：由晶体管轮廓（TO）的简单介电涂层制成的谐振腔发光二极管（RCLED）-可封装的InGaN LED可用于可见光通信
4. Semipolar InGaN-based superluminescent diodes for solid-state lighting and visible light communications [C] . Chao Shen, Tien Khee Ng, Changmin Lee, Gallium nitride materials and devices XII . 2017

机译：半固态基于InGaN的超发光二极管，用于固态照明和可见光通信
5. High Performance Semipolar Blue and Green III-Nitride Light-Emitting Diodes. [D] . Zhao, Yuji. 2012

机译：高性能半极性蓝色和绿色III族氮化物发光二极管。
6. Processes for design construction and utilisation of arrays of light-emitting diodes and light-emitting diode-coupled optical fibres for multi-site brain light delivery [O] . Jacob G. Bernstein, Brian D. Allen, Alexander A. Guerra, -1

机译：设计构造和利用发光二极管和发光二极管耦合光纤阵列进行多站点脑光传输的过程
7. Visible-Light Communications Using a CMOS-Controlled Micro-Light- Emitting-Diode Array [O] . J. D. McKendry Jonathan, Massoubre David, Zhang Shuailong, 2012

机译：使用CMOS控制的微发光二极管阵列的可见光通信

3.129-Gbit/s OFDM Visible Light Communication Using Semipolar Green μ-Light Emitting Diode (μ-LED) Array

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅