Nanoscale; ICP; etching; nanotechnology; cryogenic;
机译:通过电感耦合等离子体刻蚀形成的纳米级GaN岛,尖端,管和锥阵列的与结构有关的光学行为
机译:通过在优化化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体形成GaN的截面结构和反应离子蚀刻
机译:Si和SiO2刻蚀机理在CF4 / C4F8 / Ar电感耦合等离子体中的应用
机译:通过电感耦合等离子体蚀刻形成纳米级结构
机译:控制在感应耦合等离子体中蚀刻过程中形成和去除涂层的相对速率。
机译:电感耦合等离子体蚀刻条件对半极性形成的影响(
机译:在优化的化学蚀刻条件下通过电感耦合等离子体和反应离子蚀刻形成独特的GaN结构