首页> 外文会议>Conference on Lasers and Electro-Optics >Enhancement of Spontaneous Emission Rate in an InGaN Quantum Dot Coupled to a Plasmonic Cavity
【24h】

Enhancement of Spontaneous Emission Rate in an InGaN Quantum Dot Coupled to a Plasmonic Cavity

机译:耦合到等离子体腔的InGaN量子点中的自发发射率的增强

获取原文

摘要

An enhanced spontaneous emission rate was experimentally observed from a single semiconductor quantum dot, exhibiting photon antibunching, coupled to a silver plasmonic cavity.
机译:从单个半导体量子点实验观察到增强的自发发射率,展示光子抗血管,耦合到银等级腔。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号