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Second harmonic generation of topological insulator Bi2Se3 surfaces

机译:拓扑绝缘体Bi2Se3表面的二次谐波生成

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摘要

Azimuthal angle-dependent second harmonic generation is carried out to reveal the near surface band bending due to the surface state induced by Se vacancy in Bi2Se3. The surface band bending can be removed by tuning the Se molar ratio.
机译:进行与方位角相关的二次谐波生成,以揭示由于Bi2Se3中Se空位引起的表面状态而引起的近表面带弯曲。可以通过调节Se摩尔比来消除表面带弯曲。

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