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Ultra-fast (325 GHz) near-ballistic uni-traveling-carrier photodiodes with high sub-THz output power under a 50#x2126; load

机译：在50Ω负载下具有超亚太赫兹输出功率的超快（325 GHz）近弹道单行进载波光电二极管

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We demonstrate near-ballistic uni-traveling-carrier photodiodes with record optical-to-electrical bandwidth (325 GHz) under 50Ω loads. By using a flip-chip bonding package, high photocurrent (16 mA) and record-high photo-generated power (−1.8 dBm) at 325 GHz are achieved.

机译：我们演示了在50Ω负载下具有创纪录的光电带宽（325 GHz）的近弹道单行进载波光电二极管。通过使用倒装芯片键合封装，可以在325 GHz时获得高光电流（16 mA）和创纪录的高光生功率（-1.8 dBm）。

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来源
《IEEE Photonics Conference》|2013年|354-355|共2页
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作者
Shi Jin-Wei; Wun Jhih-Min; Lin Feng-Wei; Bowers J.E.;
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