Semiconductor device measurement; Noise figure; Silicon-on-insulator; Receivers; Bandwidth; Gain measurement; Radiofrequency integrated circuits;
机译:使用达林顿单元的60 GHz CMOS接收器的4.2 mW 6 dB增益5–65 GHz栅极泵浦下变频混频器
机译:0.2-3.3 GHz 2.4 dB NF 45 dB增益CMOS电流模式接收器前端
机译:65 nm CMOS接收器,具有4.2 dB NF和66 dB增益,适用于60 GHz应用
机译:适用于5G应用的具有2.05dB NF和0.6dB带内增益纹波的24–30 GHz CMOS LNA
机译:使用标准BSI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的90 dB以上场景内单曝光动态范围CMOS图像传感器
机译:不带LNa的0.2至2.0GHz 65nm CmOs接收器实现> 11dBm IIp3和<6.5 dB NF