Tunneling FET (TFET); SRAM cell; half selection(HS); write disturb(WD); SNM; Low STandby Power(LSTP); Dynamic voltage frequency scaling(DVFS);
机译:使用固有自平衡伪电阻的超低器件结漏电流正向偏置CMOS LNA
机译:具有超低器件结CMOS LNA的前体偏置CMOS LNA,使用本征自平衡伪电阻器
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12μA/ Mb泄漏SRAM设计,并具有针对移动应用的集成式减少泄漏功能
机译:超低泄漏子32NM TFET / CMOS混合32KB伪双端口临时嵌入式应用GHz速度
机译:SiGe BiCMOS,适用于50 GHz以上的模拟,高速数字和毫米波应用