deep level transient spectroscopy; elemental semiconductors; extended defects; III-V semiconductors; MOSFET; silicon;
机译:审查设备评估高迁移率材料中的电活性缺陷
机译:BN,GaN和AlN半导体材料中的延伸线缺陷:类石墨烯结构
机译:扩展应变场对热电材料中点缺陷声子散射的影响
机译:我们是否需要担心高迁移率材料中的缺陷?
机译:金属中扩展缺陷的原子模拟
机译:扫描电子显微镜对半导体材料中扩展缺陷的全面表征
机译:DIRAC材料中延长缺陷状态的传导性能
机译:高迁移率半导体系统和其他低维异质结构的缺陷