机译:具有较高κLaLuOa栅极介电层的应变SiGe沟道p-MOSFET的迁移率增强和栅极诱导的漏极泄漏分析
机译:使用SiGe虚拟衬底的应变Si沟道NMOSFET具有约140%的低场迁移率增强
机译:压缩应变SiGe沟道PMOSFET的迁移率和性能增强
机译:用氢热蚀刻修剪多纳米线通道的应变Si和SiGe三栅MOSFET中迁移率增强的观察
机译:高迁移率,应变锗沟道,异质结构MOSFET的物理和技术。
机译:有序SiGe点上的应变MOSFET
机译:应变Si-SiGe掩埋沟道耗尽型n-MOSFET中的平均漂移迁移率和表观电子密度分布