机译:利用铝离子注入和铝型材工程降低带有硅碳源/漏的应变N-MOSFET的接触电阻
机译:拉伸接触蚀刻停止层对嵌入硅-碳合金应力源的纳米级应变NMOSFET的应力影响
机译:具有硅碳源/漏区的绝缘体上应变硅n-MOSFET的载流子反向散射特性
机译:在镍硅化物/硅上设计铝型材的新技术:碳界面,可降低接触电阻,并集成在带有硅碳应力源的应变N-MOSFET中
机译:氮化硅的耐腐蚀性:氢,硅和硅碳陶瓷膜。
机译:应变硅器件中界面充电动力学和应力条件的影响
机译:通过不同技术生产的非晶硅碳合金的物理性质
机译:用价键法比较等电子铝氮和硅碳双键