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【24h】

Exploration of device-circuit interactions in FinFET-based memories for sub-15nm technologies using a mixed mode quantum simulation framework: Atoms to systems

机译:利用混合模式量子仿真框架探讨基于FinFET的存储器存储器的存储器中的探讨:原子为系统原子

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摘要

We compare independent gate FinFETs, FinFETs with different fin orientations and asymmetric drain spacer extension FinFETs to analyze the implications of each for memory design in sub-15nm technologies. A mixed mode simulation framework based on ballistic NEGF models for FinFETs and circuit simulations in SPICE is developed for the analysis.
机译:我们比较独立的栅极FinFET,具有不同翅片方向和不对称漏极间隔扩展FinFET的FinFet,以分析每个用于子15NM技术中的存储器设计的影响。为分析开发了一种基于FinFET和电路模拟的基于弹性密度模拟的混合模式仿真框架。

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