机译:具有高k最后替代金属栅极技术的激进缩放平面和多栅极鳍式场效应晶体管器件的有效功函数工程
机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:双金属栅极技术,具有金属插入的全硅化物叠层和富镍的全硅化物栅电极,使用单个富镍的全硅化物相用于规模化的高k互补金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:20nm低功耗/高性能技术平台的综合可扩展性,具有可扩展的高k /金属栅极平面晶体管,具有缩小的设计角落
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:具有3-D Tri-Gate和高k /金属栅极的22nm SoC平台技术,针对超低功耗,高性能和高密度SoC应用进行了优化