負のスピン分極を有するγ'-Fe_4N薄膜の磁気緩和定数

摘要

γ'-Fe_4Nは負のスピン分極を有することが理論計算で示唆されている.実際にγ'-Fe_4Nを強磁性電極 として用いたMgO強磁性トンネル磁気抵抗素子（Fe_4N-MTJ)において，インパーストンネル磁気抵抗(TMR)効果（接合抵抗RA_(Antiparalle1) < RA_(paralle1)が観測された.同じ素子において，インバース電流誘起磁化反転が観測され，Sloczewskiの理論では説明できない新しい現象であることを報告した. また，γ'-Fe_4N薄膜において負の異方性磁気抵抗（AMR)効果が観測されたことから，負のスピン分極 を有することが明確となった.今後，新奇スピントロニクスデバイスへの応用を可能とするには，反 転電流密度の低滅化が必須である.Sloncewskiの理論では反転電流密度は磁気緩和定数に比例するとさ れており，これの制御は応用上重要と考えられる.そこで本研究では強磁性共鳴の角度依存性から磁気 緩和定数の評価を行った.