机译:具有集成肖特基二极管的GaN HFET MMIC,适用于2 GHz的高效数字开关模式功率放大器
机译:完全集成的GaAs HBT功率放大器MMIC,具有高线性输出功率,适用于3 GHz频带宽带无线应用
机译:基于功率放大器单元,SiGe中PAE为31%的,输出功率为30.8 dBm的宽带20至28 GHz信号发生器MMIC
机译:基于宽带GAN的开关模式核心MMIC,20 W输出功率在UHF运行
机译:使用氮化镓HEMT的毫米波宽带功率放大器MMIC的开发。
机译:具有带阻电子阻挡层的GaN基VCSEL的提高的输出功率
机译:紧凑型宽带微带功率放大器MMIC,采用0.15μmGaAs PHEMT的输出功率为400mW
机译:单片微波集成电路(mmIC)宽带功率放大器(第2部分)。