mosfet models; charge-sheet approximation; drain current model;
机译:用于长通道未掺杂栅极堆栈周围栅极MOSFET的分析漏极电流模型,包括界面固定电荷
机译:长表面无结双栅极MOSFET的基于表面电势的漏极电流模型
机译:物理紧凑的直流漏极电流模型,用于具有独立栅极操作的长沟道非掺杂超薄体(UTB)SOI和不对称双栅极(DG)MOSFET
机译:对长通道MOSFET漏极电流型号的比较和洞察
机译:使用MISFET进行漏极电流建模和表征。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:长通道MOSFET的GM-I依赖的实验研究与建模