Lithography; EUV; Photoresist; Corner Rounding;
机译:超高PAG EUV光致抗蚀剂的薄膜量子产率
机译:通过调整沉积时间和聚电解质的分子量开发多层多尺度多孔薄膜
机译:通过尺寸排阻色谱法(SEC)测定分子量-循环法测试结果
机译:在EUV光刻胶中的角落舍入:通过分子量,PAG尺寸和开发时间调整
机译:使用低分子量酒精进行光刻胶去除。
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:在EUV光刻胶中的角落舍入:通过分子量,PAG尺寸和开发时间调整