机译:沟道长度为10nm的锗烯纳米带隧穿场效应晶体管(GeNR-TFET):模拟性能,掺杂和温度效应
机译:具有10nm宽度尺度的栅极 - 全围多通道多通硅纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线横向依赖性的宽度依赖性
机译:小于50 nm沟道长度的P沟道隧道场效应晶体管
机译:22 NM节点SI SOI共面N通道N通道垂直双载波场效应晶体管及其SOC,通道长度小于10nm,用于通信应用
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:垂直场发射空气通道二极管和晶体管
机译:用于传感器应用的单门控圆柱通道连接P型纳米线效应晶体管的电气传递,载流子浓度和表面电荷分析
机译:低于100纳米沟道长度的金属氧化物半导体场效应晶体管的电子速度过冲在77和30 K