机译:具有InGaAs伪晶掺杂沟道层的InGaP / GaAs骆驼状栅极场效应晶体管
机译:InGaP / GaAs / InGaAs骆驼状栅极三角形掺杂p沟道场效应晶体管的研究
机译:V形栅极金属对GaAs / InGaP / InGaAs掺杂沟道场效应晶体管的边缘效应
机译:使用骆驼状栅极结构的InGaP / GaAs / InGaAs掺杂沟道场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有溅射介电层的高性能包裹栅InGaAs纳米线场效应晶体管
机译:MOCVD制备的高性能InGaAs / GaAs掺杂沟道异质结构场效应晶体管(HFET)
机译:InGap / InGaasN / Gaas NpN双异质结双极晶体管