机译:65nm CMOS GPU-0.1μm DRAM间8Tb/s 1pJ/b 0.8mm~2/Tb/s QDR诱导结合インタフェース
机译:65nm CMOS GPU-0.1μm DRAM间8Tb/s 1pJ/b 0.8mm~2/Tb/s QDR诱导结合インタフェース
机译:65nm CMOS GPU-0.1μm DRAM 间8Tb/s 1pJ/b 0.8mm~2/Tb/sQDR 诱导结合インタフェース
机译:8TB / S 1PJ / B 0.8mm〜2 / Tb / s QDR电感耦合界面在65nm CMOS GPU和0.1μmdram之间
机译:FSK电感耦合收发器使用60mV 0.64fj / bit 0.0016mm 2 sup>负载调制的发射器和基于LC-振荡器的接收器,用于65nm CMOS的能量预算不平衡应用