k_h: Boltzmann constant m kg/K.-s~2; k_e: electron conductivity W/m-K; n: electron number density 1/m~3; t_c: electron-lattice thermalization time s; t_p: laser pulse length (full width, half max) s;
机译:基底对金薄膜中电子-声子耦合测量的影响
机译:衬底形状,曲率和粗糙度对Au(111)上Pt异质外延薄膜的影响
机译:跨基板-薄膜界面的热传输:薄膜厚度和表面粗糙度的影响
机译:基材表面粗糙度对薄Au薄膜电子 - 声子耦合的影响
机译:大规模基板粗糙度对巨型磁阻薄膜的影响。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:离子和纳秒脉冲激光共同辐照对SiO2玻璃基板上Au薄膜的表面纳米结构的影响