CD metrology; line width; optical microscopy; DUV 193 nm; DUV microscope; 32 nm node; 45 nm node;
机译:使用快速工艺优化计量技术的32nm节点Usj形成
机译:计量工具在32 nm及更高波长下的生存能力(第二部分)
机译:计量工具在32 nm及更高波长下的生存能力(第一部分)
机译:用于32 nm节点的193 nm光盘CD计量工具
机译:纳米粒子与193 nm光的相互作用:光学特性和粒子合成。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:1550 NM超高发光二极管和防斯托克斯效应基于CCD相机的基于光学相干性断层扫描,用于全场光学计量