AlN (aluminum nitride); 3C-SiC (silicon carbide); piezoelectric properties; intermediate layer;
机译:在(111)Si基板上生长的AlN膜和下面的3C-SiC中间层的极性
机译:通过MOVPE在(111)Si衬底上生长的GaN膜和3C-SiC中间层的极性
机译:在Si(111)衬底上生长的GaN的特性取决于3C-SiC中间层的厚度
机译:3C-SiC中间层对SiO_2 / Si衬底上生长的AIN膜性能的影响
机译:在硅和石墨烯基底上通过原子层沉积生长的无机膜的纳米图案化和表征。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:用于M / NEMS应用的AlN缓冲层上生长的多晶3C-SiC薄膜的特征
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究