A 1.9-GHz CMOS Low Noise Amplifier with Partial Source Degeneration

机译：具有部分信号源退化的1.9 GHz CMOS低噪声放大器

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A 1.9 GHz fully integrated Low Noise Amplifier with Partial Source Degeneration technique (LNA-PSD) has been implemented in a 0.35 ÃÂÃÂ¿m CMOS technology. This amplifier provides a forward gain of 11 dB with a noise figure of 3.4 dB while drawing 11 mW from a 1.8 V supply source.

机译：在0.35μmCMOS技术中已经实现了具有部分源极退化技术（LNA-PSD）的1.9 GHz完全集成低噪声放大器。该放大器可提供11 dB的正向增益，噪声系数为3.4 dB，而从1.8 V电源获取的功率为11 mW。

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来源
《Microwave and Optoelectronics Conference (IMOC), 2009》|2009年|30-32|共3页
会议地点
作者
Kretly L.C.; Capovilla C.E.; Tavora A.A.S.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类微波与超高频技术;
关键词
CMOS; LNA; LNA-PSD; receiver; wireless communications;

机译：CMOS; LNA; LNA-PSD;接收器;无线通信;

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