bulk-Si finFET; Si-fin body; 193nm lithography; composite hard mask etching;
机译:高速MEMS光栅激光扫描仪,具有使用单掩模延迟蚀刻技术制造的背面减薄的光栅平台
机译:超薄Si翅片体宽度在SOI PMOS FinFET上的影响
机译:通过单掩模紫外光刻和常见的KOH:H_2O蚀刻制成的具有级联焦平面的衍射微透镜
机译:用193nm扫描仪光刻和复合硬质掩模蚀刻技术制成的薄FinFET Si-Fin体结构,在散装 - Si衬底上
机译:使用由MoS2,石墨烯和MoS2 /石墨烯复合材料的原子薄2D结构制成的电极分析电化学储能。
机译:使用灰度光刻技术实现微混合器的三维(3D)微结构制造的单一乳化掩模的实现
机译:使用易于制造的复合pDms掩模产生30-50nm结构
机译:用于亚100nm通道长度晶体管的X射线光刻技术,采用常规光刻,各向异性蚀刻和斜阴影制作的掩模